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申请/专利权人：哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
摘要：本发明提供了一种碳化硅陶瓷的复合磁控溅射金属化工艺，包括以下步骤：S100：开机准备，选择磁控溅射仪，安装铜靶材，清洗碳化硅陶瓷基板并置于磁控溅射仪的真空腔之内；S200：开机，对真空腔进行抽真空；S300：镀膜，当真空腔内的本底真空度达到设定值时，采用高功率脉冲磁控溅射进行镀膜，在碳化硅陶瓷基板上制备铜膜，然后，采用直流磁控溅射进行镀膜，以增厚该铜膜；S400：关机。本发明的有益效果是：采用复合工艺方法制备的金属层与陶瓷基板之间的结合强度大，金属层沉积速率快，极大提高了电子封装陶瓷基板的产品质量、可靠性和生产效率。
主权项：1.一种碳化硅陶瓷的复合磁控溅射金属化工艺，其特征在于，包括以下步骤：S100：开机准备，选择磁控溅射仪，安装铜靶材，清洗碳化硅陶瓷基板并置于磁控溅射仪的真空腔之内；S200：开机，对真空腔进行抽真空；S300：镀膜，当真空腔内的本底真空度达到设定值时，采用高功率脉冲磁控溅射进行镀膜，在碳化硅陶瓷基板上制备铜膜，然后，采用直流磁控溅射进行镀膜，以增厚该铜膜；S400：关机。
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