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申请/专利权人：天津工业大学
摘要：本发明提供了一种高升降压比DC‑DC变换器及其控制方法，包括直流电源、第一二极管、第二二极管、第一电感、第二电感、第三电感、第一电容、第二电容、第三电容、第一半导体开关器件、第二半导体开关器件、第三半导体开关器件、第四半导体开关器件、第五半导体开关器件、第六半导体开关器件、负载，第一半导体开关器件、第二半导体开关器件、第三半导体开关器件、第四半导体开关器件、第五半导体开关器件和第六半导体开关器件为IGBT或MOSFET。本发明通过设置增益单元，通过电容和电感充放电的作用，进一步提升了电压输出范围，使本发明公开的变换器有着更高的电压增益，适用范围更广。
主权项：1.一种高升降压比DC-DC变换器，其特征在于：包括直流电源、第一二极管D1、第二二极管D2、第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第一半导体开关器件S1、第二半导体开关器件S2、第三半导体开关器件S3、第四半导体开关器件S4、第五半导体开关器件S5、第六半导体开关器件S6、以及负载R，所述第一二极管D1的阳极与直流电源的正极连接，所述第一二极管D1的阴极与第一电感L1的第一端和第二半导体开关器件S2的漏极连接，所述第一电感L1的第二端与第一电容C1的第一端和第一半导体开关器件S1的漏极连接，所述第一电容C1的第二端与第二半导体开关器件S2的源极和第三半导体开关器件S3的漏极连接，所述第二电感L2的第一端与第一半导体开关器件S1的源极、第六半导体开关器件S6的源极、第三电容C3的第一端、负载R的第一端和直流电源的阴极连接，所述第二电感L2的第二端与第三半导体开关器件S3的源极和第四半导体开关器件S4的源极连接，所述第二电容C2的第一端与第四半导体开关器件S4的漏极和第五半导体开关器件S5的漏极连接，所述第二电容C2的第二端与第三电感L3的第二端和第六半导体开关器件S6的漏极连接，所述第三电感L3的第一端与第五半导体开关器件S5的源极和第二二极管D2的阴极连接，所述第二二极管D2的阳极与第三电容C3的第二端和负载R的第二端连接。
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百度查询： 天津工业大学 一种高升降压比DC-DC变换器及其控制方法
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