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申请/专利权人：天津大学
摘要：本发明公开了一种高压接口电路，包括耐高压开关模块和耐高压接口模块。在高压接口模块中，通过使用对NMOS管的衬底端独立偏置的方式提升接口电路中晶体管的源端和漏端可承受的端电压；通过调整NMOS管的衬底端所连接的偏置电压避免了由于NMOS管中衬底端至源端漏端形成正向导通二极管所引起的漏电流和输出不稳定问题；通过在电容上积累电荷实现NMOS管的并结合逻辑信号实现堆叠NMOS管的导通和关断。在耐高压接口模块中通过电容阵列对堆叠NMOS管的栅端和衬底端提供合适的电压偏置，提升电路耐压性。
主权项：1.一种高压接口电路，其特征在于，包括组合数量至少为1的多组接口电路；所述接口电路包括耐高压开关模块和耐高压接口模块；所述的耐高压开关模块连接高压电源HVDD和输出端口VOUT；所述耐高压接口模块的输出端VS连接到低压电路。
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