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申请/专利权人：无锡邑文微电子科技股份有限公司;江苏邑文微电子科技有限公司
摘要：本发明属于半导体制造技术领域，公开了改进型刻蚀设备。改进型刻蚀设备包括机壳、承载盘、限流环以及导气组件。机壳内具有反应腔和排气通道；承载盘设置于反应腔内用于承载晶圆；限流环设置于反应腔内；导气组件环设于承载盘的边缘并与限流环对应，限流环与导气组件之间能形成限流空间，限流空间靠近承载盘一侧的高度大于远离承载盘一侧的高度，导气组件具有多组用于连通排气通道和限流空间的节流通道。以此该改进型刻蚀设备在使用时，等离子体在进入反应腔内后集中在反应腔的中部位置，以确保对晶圆的刻蚀深度、速率、完整度等均能保持在最佳效果。
主权项：1.改进型刻蚀设备，其特征在于，包括：机壳1，所述机壳1内具有反应腔12和排气通道13；承载盘11，设置于所述反应腔12内用于承载晶圆；导气组件2，环设于所述承载盘11的边缘，所述导气组件2包括：分气环21，所述分气环21沿周向分布有多个分气区，每个所述分气区内均贯穿设置有多个分气孔211；导气环22，设置于所述分气环21靠近所述排气通道13的一侧，所述导气环22对应于每个所述分气区的位置均贯穿开设有多个导气孔221，所述导气孔221与所述分气孔211对应以形成与所述排气通道13连通的节流通道；以及限流环3，设置于所述反应腔12内并与所述导气组件2对应，所述限流环3与所述导气组件2之间能形成与所述节流通道连通的限流空间31，所述限流空间31靠近所述承载盘11一侧的高度大于远离所述承载盘11一侧的高度；其中，所述限流环3活动连接于所述反应腔12内，所述改进型刻蚀设备还包括：驱动件，设置于所述机壳1并与所述限流环3连接以驱动所述限流环3抵接于所述导气组件2或与所述导气组件2分离。
全文数据：
权利要求：
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