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申请/专利权人：信越半导体株式会社
摘要：本发明是一种电子器件用基板，其在单晶硅的结合基板上形成有氮化物半导体膜，所述结合基板是由晶面方位为{111}的第一单晶硅基板与晶面方位为{100}的第二单晶硅基板经由氧化膜结合而成的基板，所述第一基板在110方向上形成有缺口，所述第二基板在011方向或001方向上形成有缺口，所述第一基板的110方向与所述第二基板的011方向在‑15°～15°的角度范围内结合，在所述结合基板的所述第一基板的表面上形成有所述氮化物半导体膜。由此，提供一种破坏强度较高的电子器件用基板及其制造方法，该电子器件用基板在单晶硅上形成有氮化物半导体，并且抑制滑移、破裂等的发生。
主权项：1.一种电子器件用基板，其在单晶硅的结合基板上形成有氮化物半导体膜，其特征在于，所述结合基板是由晶面方位为{111}的第一单晶硅基板与晶面方位为{100}的第二单晶硅基板经由氧化膜结合而成的基板，所述第一单晶硅基板在110方向上形成有缺口，所述第二单晶硅基板在011方向或001方向上形成有缺口，所述第一单晶硅基板的110方向与所述第二单晶硅基板的011方向在-15°～15°的角度范围内结合，在所述结合基板的所述第一单晶硅基板的表面上形成有所述氮化物半导体膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 信越半导体株式会社 电子器件用基板及其制造方法
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