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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种场效应晶体管包括：水平沟道层；层间绝缘层，在水平沟道层上；栅电极层，在层间绝缘层上；第一竖直沟道结构，在竖直方向上穿过栅电极层和层间绝缘层，与水平沟道层接触，并且连接到源极端子或漏极端子中的一个；以及第二竖直沟道结构，在水平方向上与第一竖直沟道结构分开，在竖直方向上穿过栅电极层和层间绝缘层，与水平沟道层接触，并且连接到源极端子或漏极端子中的另一个。
主权项：1.一种场效应晶体管，包括：水平沟道层；层间绝缘层，在所述水平沟道层上；栅电极层，在所述层间绝缘层上；第一竖直沟道结构，在竖直方向上穿过所述栅电极层和所述层间绝缘层，与所述水平沟道层接触，并且连接到源极端子或漏极端子中的一个；以及第二竖直沟道结构，在水平方向上与所述第一竖直沟道结构分开，在所述竖直方向上穿过所述栅电极层和所述层间绝缘层，与所述水平沟道层接触，并且连接到所述源极端子或所述漏极端子中的另一个。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 场效应晶体管和包括该场效应晶体管的半导体器件
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