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申请/专利权人：武汉长进光子技术股份有限公司
摘要：本发明提供了一种掺铋光纤及其制备方法，上述方法包括：将包含疏松层的石英反应管浸泡在含Bi3+的第一离子溶液中；在第一混合气体下对石英反应管进行烘烤处理以得到第一干燥石英管，第一混合气体包括四氯化硅、氧气及氯气的混合气体；将第一干燥石英管浸泡在含Bi3+的第二离子溶液中；在第二混合气体下对第一干燥石英管进行烘烤处理以得到第二干燥石英管，第二混合气体包括氧气及氯气的混合气体；对第二干燥石英管进行玻璃化烧缩处理以及拉丝化处理，即为掺铋光纤；本发明通过结合反复浸泡Bi3+工艺与相应参数优化，在不改变或升级现有MCVD常规制备条件的基础下，极大的提高了掺铋光纤中Bi相关活性中心的浓度。
主权项：1.一种掺铋光纤的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S10，将包含疏松层的石英反应管浸泡在含Bi3+的第一离子溶液中；S20，在第一混合气体下对所述石英反应管进行烘烤处理以得到第一干燥石英管，所述第一混合气体包括四氯化硅、氧气及氯气的混合气体；S30，将所述第一干燥石英管浸泡在含Bi3+的第二离子溶液中；S40，在第二混合气体下对所述第一干燥石英管进行烘烤处理以得到第二干燥石英管，所述第二混合气体包括氧气及氯气的混合气体；S50，对所述第二干燥石英管进行玻璃化烧缩处理以及拉丝化处理，即为所述掺铋光纤。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉长进光子技术股份有限公司 一种掺铋光纤及其制备方法
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