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申请/专利权人：胜高股份有限公司
摘要：本发明提供一种能够抑制原料棒的熔解面的高度偏差而稳定地培育单晶的感应加热线圈及使用该感应加热线圈的单晶制造装置。感应加热线圈20具备环状的线圈主体21，该线圈主体21在中央具有开口部22，并且具有通过从开口部22沿大致半径方向延伸的狭缝23而相互分离的第1端部21e1及第2端部21e2。狭缝23是以第1端部21e1的上表面21a侧的角部呈锐角且第2端部21e2的上表面21a侧的角部呈钝角的方式，将线圈主体21从上表面21a侧朝向下表面21b侧沿斜方向切割的倾斜狭缝。线圈主体21的上表面21a具有下层面21a1和上层面21a2，下层面21a1至少设置于第1端部21e1侧的狭缝附近区域，上层面21a2设置于除了下层面21a1的形成区域以外的区域。
主权项：1.一种感应加热线圈，其用于通过FZ法制造单晶，所述感应加热线圈的特征在于，具备：环状的线圈主体，在中央具有开口部，并且具有通过从所述开口部沿大致半径方向延伸的狭缝而相互分离的第1端部及第2端部，所述狭缝是以所述第1端部的上表面侧的角部呈锐角且所述第2端部的所述上表面侧的角部呈钝角的方式，将所述线圈主体从所述上表面侧朝向下表面侧沿斜方向切割的倾斜狭缝，所述线圈主体的上表面具有上层面和下层面，所述下层面至少设置于所述第1端部侧的狭缝附近区域，所述上层面设置于除了所述下层面的形成区域以外的区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 胜高股份有限公司 感应加热线圈及使用该感应加热线圈的单晶制造装置
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