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申请/专利权人:河南大学
摘要:本发明公开了一种基于氢气退火提高铪基铁电器件剩余极化强度的方法,属于微电子器件技术领域,铪基铁电器件至上而下包括顶电极、铪基薄膜功能层、底电极和衬底;通过将该铪基铁电器件置于Ar:H2混合气体中,并在目标退火温度大于500℃且小于700℃的温度条件下进行退火,提高铪基铁电器件的剩余极化强度。本发明通过仅气氛退火方法,促使铪基铁电器件展现出优异的铁电性能,剩余极化强度显著增加,有利于铪基铁电器件在存储领域中的实际投产应用。
主权项:1.一种基于氢气退火提高铪基铁电器件剩余极化强度的方法,其特征在于,过程为:在衬底上沉积底电极;在所述底电极上制备铪基铁电薄膜,对铪基铁电薄膜进行氢气气氛退火增强其剩余极化强度;在退火处理之后的铪基铁电薄膜上沉积顶电极,形成铪基铁电器件。
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百度查询: 河南大学 一种基于氢气退火提高铪基铁电器件剩余极化强度的方法
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