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申请/专利权人：温州大学
摘要：本发明公开了一种基于原子层沉积制备导电三氧化钼薄膜的方法，其方案包括以下步骤：1在原子层沉积反应腔室中装载硅衬底，将所述反应腔室抽真空，气压稳定在20pa,所述硅衬底为p型或n型晶体硅；2以六羰基钼为钼源、氧气为氧源，进行原子层沉积得到，其中钼源温度为70‑80℃，氧源的等离子体功率为200w‑300w，氧气流量为300sccm，吹扫气体为氮气，氮气流量为100‑150sccm。本发明的方法可在硅片上沉积光滑、均匀、导电的MoO3薄膜，并可推广到其他金属氧化物的低温沉积。
主权项：1.一种基于原子层沉积制备导电三氧化钼薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：1在原子层沉积反应腔室中装载硅衬底，将所述反应腔室抽真空，气压稳定在10-20pa,所述硅衬底为p型或n型晶体硅；2以六羰基钼为钼源、氧气为氧源，在硅衬底上进行原子层沉积，得到导电三氧化钼薄膜，其中钼源温度为70-80℃，氧源的等离子体功率为200w-300w，氧气流量为300sccm，吹扫气体为氮气，氮气流量为100-150sccm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 温州大学 基于原子层沉积制备导电三氧化钼薄膜的方法
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