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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

摘要：本公开提供了一种电路长期时序可靠性分析方法及系统，方法包括：S1，建立电路单元的特征化时序数据与有效受压工作时间的对应关系；S2，建立有效受压工作时间与上层电路工作时间之间的对应关系；S3，建立以上层电路工作时间为变量的电路时序可靠性关系式；S4，根据电路时序可靠性关系式获取上层电路工作时间的最大值。在对电路进行长期时序可靠性分析过程中，考虑了电路中各电路单元的老化状态，使得电路单元特征化数据更加精确丰富，更加精准的表征老化过程中电路单元的特征，使得电路长期时序可靠性分析更加准确。

主权项：1.一种电路长期时序可靠性分析方法，包括：S1，建立电路单元的特征化时序数据与有效受压工作时间的对应关系；S2，建立所述有效受压工作时间与上层电路工作时间之间的对应关系；S3，建立以所述上层电路工作时间为变量的电路时序可靠性关系式；S4，根据所述电路时序可靠性关系式获取所述上层电路工作时间的最大值；其中，所述特征化时序数据包括Tcell，i、TCO、TSU、TH中的其中之一；所述Tcell，i为基本单元i在有效受压工作时间为t时刻的特征化的延时数据，所述Tcell，i以有效受压工作时间作为变量的函数表达式可如下表示：Tcell，i＝Tcell，i，0*Fcell，it，其中，Tcell，i，0是有效受压工作时间为0时刻的特征化的延时数据，Fcell，it为有效受压工作时间为t时刻电路单元性能指标衰退程度，Fcell，i0＝1；所述TCO为寄存器随工作电压变化的特征化延时数据，所述TCO表达式：TCO＝TCO，0*Ftcot，其中，TCO，0是有效受压工作时间为0时刻的TCO特征化的延时数据，Ftcot为有效受压工作时间为t时刻寄存器TCO性能指标衰退程度，Ftco0＝1；所述TSU为寄存器随工作电压变化的特征化数据，所述TSU表达式为：TSU＝TSU，0*Ftsut，其中，TSU，0是有效受压工作时间为0时刻的TSU特征化的延时数据，Ftsut为有效受压工作时间为t时刻寄存器TSU性能指标衰退程度，Ftsu0＝1；所述TH为寄存器随工作电压变化的特征化数据，所述TH表达式为：TH＝TH，0*Ftht，其中，TH，0是有效受压工作时间为0时刻的TH特征化的延时数据，Ftht为有效受压工作时间为t时刻寄存器TH性能指标衰退程度，Fth0＝1。

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