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申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学

摘要：本申请提供了一种基于忆阻器的加法器、驱动方法及电子设备，其中，基于忆阻器的加法器包括：1T1R阵列、N个外围电路，所述1T1R阵列包括依次设置的第一1T1R子阵列、第二1T1R子阵列、第三1T1R子阵列、第四1T1R子阵列、第五1T1R子阵列，所述第一1T1R子阵列、所述第二1T1R子阵列、所述第三1T1R子阵列、所述第四1T1R子阵列分别包括N个1T1R单元，所述第五1T1R子阵列包括N+1个1T1R单元，各1T1R单元包括忆阻器及MOS管。通过本申请提供的基于忆阻器的加法器，可以实现计算结果非易失，通过CCAU实现进位操作，减少了计算时延，此外，加法器的主体面积较小并且易于集成。

主权项：1.一种基于忆阻器的加法器，其特征在于，包括：1T1R阵列、N个外围电路，所述1T1R阵列包括依次设置的第一1T1R子阵列、第二1T1R子阵列、第三1T1R子阵列、第四1T1R子阵列、第五1T1R子阵列，所述第一1T1R子阵列、所述第二1T1R子阵列、所述第三1T1R子阵列、所述第四1T1R子阵列分别包括N个1T1R单元，所述第五1T1R子阵列包括N+1个1T1R单元，各1T1R单元包括忆阻器及MOS管，所述忆阻器的底电极与所述MOS管的源极或漏极相连；各1T1R子阵列的各1T1R单元中的MOS管的漏极或源极连接于对应列的字线，各1T1R子阵列的各1T1R单元中的MOS管的栅极连接于对应列的栅极控制线；所述第一1T1R子阵列的第i个1T1R单元及所述第二1T1R子阵列的第i个1T1R单元中的忆阻器的顶电极连接在第i个第一位线上，所述第三1T1R子阵列的第i个1T1R单元、所述第四1T1R子阵列的第i个1T1R单元及所述第五1T1R子阵列的第i个1T1R单元中的忆阻器的顶电极连接在第i个第二位线上，所述第五1T1R子阵列的第N+1个1T1R单元中的忆阻器的顶电极连接在第三位线上，第i个第一位线的第二端与第i个第二位线的第一端通过开关模块连接，1≤i≤N；第i个外围电路的第二端与第i个第一位线的第一端连接，第i个外围电路的第一端与第i+1个第二位线的第二端连接，1≤i≤N-1，第N个外围电路的第一端与第三位线的第一端或第二端连接。

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