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申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司
摘要:本实用新型提供一种薄膜晶体管和集成芯片。所述薄膜晶体管包括在衬底上方的有源层。与有源层堆叠的绝缘件。与绝缘件堆叠的栅极结构,栅极结构包括具有第一功函数的栅极材料层和第一界面层。第一界面层直接介于绝缘件和栅极材料层之间,其中栅极结构具有不同于第一功函数的第二功函数。
主权项:1.一种薄膜晶体管,其特征在于包括:有源层,在衬底上方;绝缘件,与所述有源层堆叠;栅极结构,与所述绝缘件堆叠,其中所述栅极结构包括:栅极材料层,具有第一功函数;以及第一界面层,直接介于所述绝缘件和所述栅极材料层之间,其中所述栅极结构具有不同于所述第一功函数的第二功函数。
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百度查询: 台湾积体电路制造股份有限公司 薄膜晶体管和集成芯片
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