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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种接合总成包括：中介体；半导体管芯，附接至中介体且包括平坦水平底表面及波状侧壁；高频宽存储器HBM管芯，附接至中介体；以及介电材料部分，接触半导体管芯及中介体。波状侧壁包括垂直侧壁区段及非水平非垂直表面区段，非水平非垂直表面区段邻接至垂直侧壁区段的底部边缘且邻接至半导体管芯的平坦水平底表面的边缘。垂直侧壁区段及非水平非垂直表面区段与介电材料部分接触。波状侧壁可提供距高频宽存储器管芯的可变侧向间隔，以减小高频宽存储器管芯的靠近中介体的部分中的局部应力。
主权项：1.一种接合总成，其特征在于，包括：中介体，包括第一水平表面；半导体管芯，附接至所述中介体，其中所述半导体管芯包括面向或接触所述第一水平表面的底表面且包括波状侧壁；高频宽存储器管芯，附接至所述中介体且具有面向所述半导体管芯的所述波状侧壁的侧壁；以及介电材料部分，接触所述半导体管芯及所述中介体，其中所述半导体管芯的所述波状侧壁包括垂直侧壁区段及非水平非垂直表面区段，所述非水平非垂直表面区段邻接至所述垂直侧壁区段的底部边缘且邻接至所述半导体管芯的所述底表面的边缘；且所述垂直侧壁区段及所述非水平非垂直表面区段与所述介电材料部分接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 接合总成
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