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申请/专利权人：闽南师范大学
摘要：本发明公开了一种具有多晶硅层的高增益带宽积InGaAsSiAPD，其外延结构由下至上包括n+‑Si接触层、i‑Si倍增层、多晶硅层、i‑InGaAs渐变层、i‑InGaAs吸收层、p+‑InGaAs接触层；其中多晶硅层作为电荷层，其采用多晶硅材料，厚度为80～120nm，掺杂浓度为1.5×1017cm‑3～2.5×1017cm‑3。本发明在InGaAs与Si之间引入多晶硅Poly‑Si层起到阻断InGaAs与Si之间晶格失配的作用，同时调制吸收层和倍增层中的电场，以减小InGaAs吸收层的电场，增强倍增层的电场，从而减小遂穿电流，并增强Si倍增层的电场使电子有足够的动能发生碰撞电离产生雪崩，可以获得工作电压范围、光电流、暗电流、增益带宽积等性能指标较为理想的InGaAsSiAPD。
主权项：1.一种具有多晶硅层的高增益带宽积InGaAsSiAPD，其特征在于：外延结构由下至上包括n+-Si接触层、i-Si倍增层、多晶硅层、i-InGaAs渐变层、i-InGaAs吸收层、p+-InGaAs接触层，所述i-InGaAs渐变层在厚度方向上Ga组分含量渐变；其中所述多晶硅层采用多晶硅材料，厚度为80～120nm，掺杂浓度为1.5×1017cm-3～2.5×1017cm-3；所述多晶硅层作为电荷层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 闽南师范大学 一种具有多晶硅层的高增益带宽积InGaAs/Si APD
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