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申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司
摘要：本发明涉及光检测装置和电子装置。光检测装置至少包括：从光入射侧起依次的第一光电转换部和半导体基板，其中，所述第一光电转换部至少依次包括第一电极、光电转换层、第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层和第二电极，并且所述第一氧化物半导体层的膜密度高于所述第二氧化物半导体层的膜密度。
主权项：1.一种光检测装置，其至少包括：从光入射侧起依次的第一光电转换部和半导体基板，其中，所述第一光电转换部至少依次包括第一电极、光电转换层、第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层和第二电极，并且所述第一氧化物半导体层的膜密度高于所述第二氧化物半导体层的膜密度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 索尼半导体解决方案公司 光检测装置和电子装置
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