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申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要：本发明公开了一种提高功率电子器件关态电学特性的终端结构及其制备方法。该终端结构包括：半导体结构以及介质层、金属电极，所述介质层层叠设置在所述半导体结构上，所述介质层的边缘具有侧壁面，所述金属电极的第一部分覆设在所述介质层的侧壁面上，所述金属电极的第二部分覆设在所述半导体结构上，所述金属电极与所述介质层、所述半导体结构形成金属‑介质‑半导体的场板结构。本发明通过分离边缘尖峰电场与漏电通道的空间位置，同时提出“自对准”工艺来制备该终端结构，可简化工艺步骤，降低生产成本，以达到击穿电压与关态漏电的同步优化的效果。
主权项：1.一种提高功率电子器件关态电学特性的终端结构，其特征在于，包括：半导体结构以及介质层、金属电极，所述介质层层叠设置在所述半导体结构上，所述介质层的边缘具有侧壁面，所述金属电极的第一部分覆设在所述介质层的侧壁面上，所述金属电极的第二部分覆设在所述半导体结构上，所述金属电极与所述介质层、所述半导体结构形成金属-介质-半导体的场板结构；其中，所述侧壁面相对于所述金属电极的第二部分和所述半导体结构之间的界面倾斜设置，所述金属电极与半导体结构接触结边缘的尖峰电场被转移到所述介质层上，或者，所述金属电极与半导体结构接触结边缘的尖峰电场经所述介质层被转移分散至所述半导体结构内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 提高功率电子器件关态电学特性的终端结构及其制备方法
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