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申请/专利权人：浙江驰拓科技有限公司
摘要：本发明涉及磁性存储领域，特别是涉及一种MTJ组件及MRAM器件，包括势垒层、自由层及参考层；所述自由层、所述势垒层及所述参考层依次层叠设置；所述自由层包括层叠设置的自由子层及铁硼化合物层。本发明通过为自由层引入性质稳定、对磁性材料性能损失小的铁硼化合物层，大大提升了自由层中的铁元素占比，从而实现了对自由层的垂直磁各向异性提升，进而提升了自由层对应的矫顽力，可增强器件在高温条件下的数据保存能力，也即提升了热稳定性，提升了MTJ组件整体的工作稳定性。
主权项：1.一种MTJ组件，其特征在于，包括势垒层、自由层及参考层；所述自由层、所述势垒层及所述参考层依次层叠设置；所述自由层包括层叠设置的自由子层及铁硼化合物层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江驰拓科技有限公司 一种MTJ组件及MRAM器件
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