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申请/专利权人：大连交通大学
摘要：本发明提供一种Ks＞1.4大厚度比的扁铜线缺陷射线检测方法，采用单壁单影垂直透照技术，首先确定被检工件最小透照厚度Tmin、最大透照厚度Tmax，依据像质计所在位置黑度、胶片感光特性曲线函数、曝光曲线函数，确定提高管电压法的透照厚度Tx＝Tmin+2Tmax3。若KVmaxTmin＞KVm'axTx，选择Tx处透照电压KV'maxTx，反之，选择Tmin处透照电压KVmaxTmin。同时采用同异混合多组胶片法，构成复合检测方法。根据不同的透照厚度采取不同的单或双片以及同或异速多种组合方式来满足不同透照厚度的底片评定要求。本发明解决了大厚度比透照在一次有效区域内厚度变化复杂、效率低、宽容度小、黑度差大，黑度不均匀以及灵敏度低导致的小缺陷漏检等问题，具有操作简单、易于实现等特点，可广泛应用于Ks＞1.4大厚度比缺陷的无损检测。
主权项：1.一种Ks＞1.4大厚度比的扁铜线缺陷射线检测方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：通过单壁单影垂直透照技术，确定被检工件最小透照厚度Tmin，最大透照厚度Tmax；步骤2：根据所述步骤1获取的最小透照厚度Tmin，最大透照厚度Tmax，获取提高管电压法的透照厚度Tx，所允许最高管电压为KV′max，表示为KV′maxTx；步骤3：通过查曝光曲线，最小透照厚度Tmin，所允许最高管电压为KVmax，表示为KVmaxTmin；步骤4：判断两者管电压的大小；若KVmaxTmin＞KV′maxTx，则选择提高管电压法的透照厚度Tx处管电压KV′max为透照电压；若KVmaxTmin≤KV′maxTx，则选择Tmin处管电压KVmax为透照电压；步骤5：采用同异混合多组胶片构成复合检测方法。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 大连交通大学 一种Ks＞1.4大厚度比的扁铜线缺陷射线检测方法
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