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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本申请提供一种多层晶圆的堆叠方法及用于多层晶圆堆叠的系统。该多层晶圆堆叠的方法包括：将晶圆与载片晶圆键合；其中，晶圆上设置有第一特征图形；获取第一特征图形的不同位置相对于载片晶圆的套刻偏差值；对不同位置所对应的套刻偏差值进行拟合，以获得晶圆的实际偏差值；基于实际偏差值对晶圆的曝光制程进行补偿。该方法能够避免因晶圆与载片晶圆对准精度较低而导致晶圆无法进行曝光，进而导致晶圆报废的问题发生。
主权项：1.一种多层晶圆的堆叠方法，其特征在于，包括：将器件晶圆与载片晶圆键合；其中，所述器件晶圆上设置有第一特征图形；获取所述第一特征图形的不同位置相对于所述载片晶圆的套刻偏差值，所述套刻偏差值包括所述第一特征图形的不同位置所对应的横轴方向的水平偏移量、纵轴方向的水平偏移量及旋转角度；所述第一特征图形的不同位置为所述第一特征图形的沿同一方向间隔设置的各个间距点；对所述不同位置所对应的横轴方向的水平偏移量、纵轴方向的水平偏移量及旋转弧长进行三元拟合，以获得所述器件晶圆的实际偏差值；其中，每一个位置的旋转弧长为该位置与所述器件晶圆圆心的距离与所述旋转角度的乘积；基于所述实际偏差值对所述器件晶圆的曝光制程进行补偿。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 多层晶圆的堆叠方法及用于多层晶圆堆叠的系统
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