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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种PDSOI晶体管及其制造方法，源级的底面和埋氧化层的顶面之间具有第一间隔，漏极的底面和埋氧化层的顶面之间具有第二间隔，源级接触结构深入至源级中并且和埋氧化层的顶面之间具有第三间隔，由此，体区中的电荷能够经由第三间隔以及源级接触结构而被引出，从而避免了由此而产生的浮体效应的问题，提高了PDSOI晶体管的质量和可靠性。
主权项：1.一种PDSOI晶体管，其特征在于，所述PDSOI晶体管包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括底硅层、位于所述底硅层上的埋氧化层以及位于所述埋氧化层上的顶硅层；栅极结构，所述栅极结构位于所述SOI衬底上；源级和漏极，所述源级和所述漏极分别位于所述栅极结构两侧的所述顶硅层中，并且所述源级的底面和所述埋氧化层的顶面之间具有第一间隔，所述漏极的底面和所述埋氧化层的顶面之间具有第二间隔；以及，源级接触结构和漏极接触结构，所述源级接触结构和所述源级连接，所述漏极接触结构和所述漏极连接，其中，所述源级接触结构深入至所述源级中并且和所述埋氧化层的顶面之间具有第三间隔，所述第三间隔在所述SOI衬底厚度方向上的尺寸介于5nm至15nm之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 PDSOI晶体管及其制造方法
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