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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
摘要：本发明提供了一种改善顶层金属互联层表面缺陷的工艺方法，包括：在半导体器件的前道结构上形成顶层金属互联层，所述顶层金属互联层覆盖所述前道结构的表面并延伸至所述前道结构中；去除所述前道结构的表面覆盖的所述顶层金属互联层；在所述前道结构上形成第一薄膜，所述第一薄膜覆盖所述前道结构及所述顶层金属互联层；对所述半导体器件进行电性测试；在所述第一薄膜上形成第二薄膜，所述第二薄膜的厚度大于所述第一薄膜的厚度，所述第二薄膜的应力值小于所述第一薄膜的应力值；在所述第二薄膜上形成第三薄膜，所述第三薄膜厚度与应力与所述第二薄膜的厚度与应力均不同。本发明改善了现有技术中顶层金属互联层受热后在顶层金属互联层表面形成缺陷的问题。
主权项：1.一种改善顶层金属互联层表面缺陷的工艺方法，其特征在于，包括：在半导体器件的前道结构上形成顶层金属互联层，所述顶层金属互联层覆盖所述前道结构的表面并延伸至所述前道结构中，所述顶层金属互联层的材料包括铜；去除所述前道结构的表面覆盖的所述顶层金属互联层，以使所述前道结构的表面与剩余的所述顶层金属互联层齐平；在所述前道结构上形成第一薄膜，所述第一薄膜覆盖所述前道结构及剩余的所述顶层金属互联层；对所述半导体器件进行电性测试；在所述第一薄膜上形成第二薄膜，所述第二薄膜的厚度大于所述第一薄膜的厚度，所述第二薄膜的应力值小于所述第一薄膜的应力值；在所述第二薄膜上形成第三薄膜，所述第三薄膜厚度与应力与所述第二薄膜的厚度与应力均不同，所述第三薄膜的厚度小于所述第二薄膜的厚度，所述第三薄膜的应力值大于所述第一薄膜和所述第二薄膜的应力值，所述第一薄膜、所述第二薄膜和所述第三薄膜均为氮化物薄膜。
全文数据：
权利要求：
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