买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：广东爱旭科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司

摘要：本发明公开了一种硅基FeSi2薄膜量子阱太阳能电池的制备方法，包括：S1、对单晶硅衬底进行清洗制绒；S2、制备n型FeSi2薄膜层单晶硅衬底层p型FeSi2薄膜层结构的第一中间体；S3、对所述第一中间体进行退火处理；S4、制备第二中间体；S5、在所述第二中间体的表面制备透明导电层和电极层，得到成品。相应地，本发明还提供了制备得到的硅基FeSi2薄膜量子阱太阳能电池。所述硅基FeSi2薄膜量子阱太阳能电池能够拓展可吸收入射光的波长范围，提升了入射光吸收利用率，提升在弱光下的光电转换能力。

主权项：1.一种硅基FeSi2薄膜量子阱太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、对单晶硅衬底进行清洗制绒；S2、在所述单晶硅衬底正面制备n型FeSi2薄膜层，在所述单晶硅衬底背面制备p型FeSi2薄膜层，得到具有n型FeSi2薄膜层单晶硅衬底p型FeSi2薄膜层结构的第一中间体；S3、对所述第一中间体进行退火处理；S4、在所述第一中间体的n型FeSi2薄膜层表面制备n型非晶硅薄膜层，在所述第一中间体的p型FeSi2薄膜层表面背面制备p型非晶硅薄膜层，得到具有n型非晶硅薄膜层型FeSi2薄膜层单晶硅衬底p型FeSi2薄膜层p型非晶硅薄膜层结构的第二中间体；S5、在所述第二中间体的n型非晶硅薄膜层表面制备第一透明导电层，在所述第二中间体的p型非晶硅薄膜层表面制备第二透明导电层；然后在所述第一透明导电层表面制备正面电极层，在所述第二透明导电层表面制备背面电极层，得到成品；步骤S3中，退火温度为500~800℃，退火时间为30~90s；步骤S2中，通过等离子体溅射制备所述n型FeSi2薄膜层和p型FeSi2薄膜层；所述n型FeSi2薄膜层采用Fe、Si、Ni组合靶材提供原料，其中Fe：Si：Ni的比值为（1~2）：（1~4）：（7~8）；所述p型FeSi2薄膜层采用Fe、Si、Ni组合靶材提供原料，其中Fe：Si：Ni的比值为（1~2）：（1~4）：（5~6）。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广东爱旭科技有限公司 浙江爱旭太阳能科技有限公司 天津爱旭太阳能科技有限公司 一种硅基FeSi₂薄膜量子阱太阳能电池及其制备方法