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一种基于锗硅多雪崩层的绝缘体上锗系SPADs传感器结构及其制备方法 

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申请/专利权人:广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

摘要:本申请属于半导体技术领域,公开了一种基于锗硅多雪崩层的绝缘体上锗系SPADs传感器结构及其制备方法,包括:传感器晶圆、钝化层、N型电极、P型电极和读出电路;传感器晶圆包括依次叠加的热氧层、反射镜、氧化铝层、P型重掺杂锗层、本征锗传感层、本征锗量子阱传感层、P型电荷层、本征锗硅多雪崩层和N型重掺杂锗层;传感器晶圆还包括多个以预设间隔分布的矩形凹槽;钝化层覆盖在N型重掺杂锗层和各矩形凹槽的内壁上;N型电极设于矩形凹槽内,穿过钝化层连接P型重掺杂锗层;P型电极穿过钝化层连接N型重掺杂锗层;读出电路分别连接N型电极和P型电极。本申请可以移除晶格失配缺陷,降低传感器的暗电流、暗计数率及雪崩击穿电压。

主权项:1.一种基于锗硅多雪崩层的绝缘体上锗系SPADs传感器结构,其特征在于,包括:传感器晶圆、钝化层、N型电极、P型电极和读出电路;所述传感器晶圆包括依次叠加的热氧层、反射镜、氧化铝层、P型重掺杂锗层、本征锗传感层、本征锗量子阱传感层、P型电荷层、本征锗硅多雪崩层和N型重掺杂锗层;所述本征锗硅多雪崩层为锗硅超晶格层结构或锗硅多量子阱结构;所述本征锗硅多雪崩层的总厚度范围为0.1-3微米,势垒层厚度范围是3-10纳米,势阱层厚度范围是5-30纳米;所述本征锗硅多雪崩层的周期数为60-400个,单个周期的厚度范围为8-40纳米;所述本征锗硅多雪崩层的硅含量为0-30%;所述P型电荷层为P型锗电荷层或P型锗硅电荷层;所述传感器晶圆还包括多个形状相同,并以预设间隔分布的矩形凹槽;所述矩形凹槽依次贯穿所述N型重掺杂锗层、所述本征锗硅多雪崩层、所述P型电荷层、所述本征锗量子阱传感层、所述本征锗传感层和所述P型重掺杂锗层;所述钝化层均匀覆盖在所述N型重掺杂锗层和各所述矩形凹槽的内壁上;所述N型电极设于所述矩形凹槽内,穿过所述钝化层连接所述P型重掺杂锗层;所述P型电极穿过所述钝化层连接所述N型重掺杂锗层;所述读出电路分别连接所述N型电极和所述P型电极。

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