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申请/专利权人：中国人民解放军空军工程大学
摘要：本发明公开了基于磁阻元件的涡流阵列传感器及其裂纹定量监测方法，包括激励线圈、基底、磁阻元件；基底底面印刷激励线圈，基底顶面上方设置成阵列方式排布的磁阻元件，基底顶面与磁阻元件的导线连接；将基于磁阻元件的涡流阵列传感器贴在具有裂纹的结构件表面上，激励线圈内通电产生激励电流，裂纹处产生扰动涡流，影响磁阻元件的输出电压信号，根据输出电压信号判断是否有裂纹产生以及裂纹的长度。本发明基于磁阻元件的涡流阵列传感器裂纹定量监测方法在用于原位监测时，既可以适用于结构表面的裂纹监测，也可以适用于结构内部的裂纹监测，同时还可以扩大监测范围，提高裂纹的定量监测效果，进一步提高结构健康监控的技术水平。
主权项：1.基于磁阻元件的涡流阵列传感器，其特征在于，包括激励线圈、基底、磁阻元件；基底底面印刷激励线圈，基底顶面上方设置成环形矩阵排布的磁阻元件，基底顶面与磁阻元件的导线连接；其中，所述基底包括柔性基底或电木板；所述磁阻元件包括霍尔传感器、GMR传感器、TMR传感器中的任一种；所述阵列方式为环形矩阵时，激励线圈为环形激励线圈，相邻两激励线圈上的激励电流方向相反，磁阻元件沿环形激励线圈的径向方向均匀分布，且磁阻元件的灵敏轴y轴与激励线圈径向方向垂直；所述的基于磁阻元件的涡流阵列传感器对结构产生的裂纹进行原位快速无损监测；基于磁阻元件的涡流阵列传感器的裂纹定量测量方法，包括以下步骤：步骤S1、将基于磁阻元件的涡流阵列传感器贴在具有裂纹的结构件表面上，将激励线圈的y轴与裂纹扩展方向垂直；步骤S2、激励线圈内通电产生激励电流，试验件表面或内部产生与激励电流流动方向相反的涡流，分别用ECi表示，其中i＝1,2…6，裂纹处产生扰动涡流，扰动涡流产生扰动磁场，进而影响磁阻元件所在位置的磁感应强度，进而影响磁阻元件的输出电压信号，根据输出电压信号计算跨阻抗幅值变化率曲线和相位变化量曲线，判断是否有裂纹产生以及裂纹的长度；步骤S2中，所述裂纹的长度的判断方法为：根据跨阻抗幅值变化率曲线和相位变化量曲线中的特征点个数，以下式判断裂纹的长度：裂纹长度＝激励线圈间距×特征点个数-1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国人民解放军空军工程大学 基于磁阻元件的涡流阵列传感器及其裂纹定量监测方法
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