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申请/专利权人：西安龙飞电气技术有限公司
摘要：本发明涉及一种改善雪崩能力的超结终端结构制造方法，在N+衬底上生长N‑外延；在N‑外延注入N型杂质，在终端区的注入尺寸为X3＞X2＞X1；在N‑外延表面，刻蚀出深沟槽后生长P型外延，使之填充满深沟槽；进行CMP工艺，将深沟槽外的P型外延及N‑外延一并去掉，形成N柱P柱相交替的超结结构；通过PW光刻板注入体区并退火形成PWELL区；淀积场氧层成并回刻，通过栅氧、多晶硅淀积回刻形成gate，再注入As或P，推阱形成N‑source；淀积ILD并回刻，孔注，最后淀积金属并回刻，形成器件的最终结构。本发明在相同的雪崩能力要求下，可以有效的减小终端面积，提高器件的电流处理能力，降低器件成本。
主权项：1.改善雪崩能力的超结终端结构制造方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：步骤1：在N+衬底上生长一层N-外延；步骤2：在N-外延注入N型杂质，在终端区的注入尺寸为X3＞X2＞X1；X3在终端外围两个mesa中心位置，X2在终端外围第3、4mesa中心位置，X1在cellmesa和终端第5个mesa的中心；步骤3：在N-外延表面，通过Trench光刻板，刻蚀出深沟槽后生长P型外延，使之填充满深沟槽；进行CMP工艺，将深沟槽外的P型外延及N-外延一并去掉，形成N柱P柱相交替的超结结构；步骤4：通过PW光刻板注入体区并退火形成PWELL区；步骤5：淀积场氧层成并回刻，通过栅氧、多晶硅淀积回刻形成gate，再注入As或P，推阱形成N-source；步骤6：淀积ILD并回刻，孔注，最后淀积金属并回刻，形成器件的最终结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安龙飞电气技术有限公司 改善雪崩能力的超结终端结构及制造方法
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