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申请/专利权人：安建科技有限公司
摘要：半导体器件及器件内深沟槽和浅沟槽的形成方法，本发明涉及于功率半导体器件的形成方法，为克服现有技术在同时形成不同深度的沟槽中造成的不良，本发明采用硬掩模层和沟槽填充物的保护，先后形成不同深度的沟槽，本发明提出数种沟槽器件中沟槽网络结构的形成方法，有利于减少深沟槽和浅沟槽之间的高度过渡区域，并能降低制造工艺控制难度，增加沟槽功率器件中沟槽网络结构中深沟槽和浅沟槽各自的深度和宽度的均匀性和一致性。
主权项：1.半导体器件中深沟槽和浅沟槽的形成方法，其特征在于，所述的形成方法为：首先，在半导体上表面通过光刻形成图形化的硬掩模层，在硬掩模层的保护下进行蚀刻以形成第一沟槽；其次，在第一沟槽内填充沟槽填充物；再次，暴露第二沟槽所在位置，在硬掩模层和沟槽填充物的保护下形成第二沟槽，然后使第一沟槽和第二沟槽相连通并在交接处形成凸起过渡区；所述的第一沟槽和第二沟槽为深度不同的沟槽。
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百度查询： 安建科技有限公司 半导体器件及器件内深沟槽和浅沟槽的形成方法
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