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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请提供一种基于BCD工艺平台的肖特基二极管结构及其制备方法，其中肖特基二极管结构包括：衬底、第一埋层、第二埋层、外延层、第一深阱、金属层、第一阱区、第二深阱、第二阱区、外围环形阱区、第一环形浅沟槽隔离结构和第二环形浅沟槽隔离结构，其中，第一深阱所在区域为BCD器件的发射区；第二阱区所在区域为BCD的集电区；第一阱区所在区域为BCD的基区；金属层和第一深阱形成金属‑半导体接触的肖特基结。本申请实现一种兼容于BCD工艺平台的新型肖特基二极管结构，降低了漏电流，提高了肖特基二极管的正向电压和击穿电压的片内均匀性，在制作上至少节省了一道漂移区光罩，节约了流片成本，降低了生产成本，简化了制备工艺。
主权项：1.一种基于BCD工艺平台的肖特基二极管结构，其特征在于，包括：衬底；第一埋层，所述第一埋层位于所述衬底内；外延层，所述外延层覆盖所述衬底；第二埋层，所述第二埋层位于所述衬底和部分外延层中，并且环绕所述第一埋层设置；第一深阱，所述第一深阱位于所述外延层中并且与所述第一埋层相连，所述第一深阱所在区域为BCD器件的发射区；金属层，所述金属层位于所述第一深阱上，所述金属层和所述第一深阱形成金属-半导体接触的肖特基结；第一阱区，所述第一阱区位于所述外延层中并且环绕所述第一深阱设置，所述第一阱区所在区域为BCD器件的基区；第二深阱，所述第二深阱位于所述外延层中并且与所述第一埋层相连，所述第二深阱环绕所述第一阱区设置；第二阱区，所述第二阱区位于所述第二深阱中，所述第二阱区所在区域为BCD器件的集电区；外围环形阱区，所述外围环形阱区位于所述外延层中并且与所述第二埋层相连；第一环形浅沟槽隔离结构，所述第一环形浅沟槽隔离结构位于所述集电区和所述基区之间的外延层中，用于隔离所述集电区和所述基区；以及第二环形浅沟槽隔离结构，所述第二环形浅沟槽隔离结构位于所述外围环形阱区和所述集电区之间的外延层中，用于隔离所述外围环形阱区和所述集电区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 基于BCD工艺平台的肖特基二极管结构及其制备方法
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