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RRAM阵列及其控制方法、半导体器件 

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申请/专利权人:厦门半导体工业技术研发有限公司

摘要:本申请公开一种RRAM阵列及其控制方法、半导体器件,RRAM阵列包括m行n列存储晶体管、各个存储晶体管分别对应的电阻和各列存储晶体管分别对应的SL开关晶体管;第i行存储晶体管的漏极分别通过对应的电阻连接第i行位线,第j列存储晶体管的栅极和第j个SL开关晶体管的栅极分别连接第j列字线,第j列存储晶体管的源极分别连接第j个SL开关晶体管的源极,各个所述SL开关晶体管的漏极连接源极线,1≤i≤m,1≤j≤n;所述源极线接入第一电位,各行位线中的第一类位线接入第二电位,以减小连接第一类位线的各存储晶体管源极和漏极之间的电压差。本申请能够改善至少部分存储晶体管的源漏端漏电状况,使对应存储晶体管避免面临高Vds导致的击穿风险。

主权项:1.一种RRAM阵列,其特征在于,所述RRAM阵列包括m行n列存储晶体管、各个存储晶体管分别对应的电阻和各列存储晶体管分别对应的SL开关晶体管;第i行存储晶体管的漏极分别通过对应的电阻连接第i行位线,第j列存储晶体管的栅极和第j个SL开关晶体管的栅极分别连接第j列字线,第j列存储晶体管的源极分别连接第j个SL开关晶体管的源极,各个所述SL开关晶体管的漏极连接源极线,1≤i≤m,1≤j≤n;所述源极线接入第一电位,各行位线中的第一类位线接入第二电位,以减小连接第一类位线的各存储晶体管源极和漏极之间的电压差。

全文数据:

权利要求:

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