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一种基于ZnTe掺杂N和ZnTe掺杂Cu的背接触缓冲层的CdTe电池及其制备方法 

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申请/专利权人:邯郸中建材光电材料有限公司

摘要:本发明涉及一种基于ZnTe掺杂N和ZnTe掺杂Cu的背接触缓冲层的CdTe电池及其制备方法,涉及CdTe电池技术领域,所述CdTe电池包括发电玻璃结构,所述发电玻璃结构包括浮法玻璃层、透明导电层、发电层、背接触缓冲层和背电极层;所述背接触缓冲层为为ZnTe掺杂N和ZnTe掺杂Cu的复合层,所述NCu比为1.80‑2.40。在现有CdTe电池的结构基础上,本发明通过通过调节N和Cu的掺杂比例,制备一种N、Cu按照一定化学计量比的共掺杂的ZnTe背接触层材料,通过减少Cu的掺杂比例,增加N的掺杂比例以兼顾CdTe电池输出功率和寿命。

主权项:1.一种基于ZnTe掺杂N和ZnTe掺杂Cu的背接触缓冲层的CdTe电池,其特征在于,所述CdTe电池包括发电玻璃结构,所述发电玻璃结构包括浮法玻璃层、透明导电层、发电层、背接触缓冲层和背电极层;所述背接触缓冲层为为ZnTe掺杂N和ZnTe掺杂Cu的复合层,所述NCu比为1.80-2.40。

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权利要求:

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