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申请/专利权人：西北核技术研究所

摘要：本发明涉及一种NAND闪存的实时测试方法及系统，具体涉及一种NAND闪存的辐射效应实时测试方法、系统及终端设备，解决NAND闪存辐射效应实时测试系统及测试流程，面对现有的NAND闪存辐射效应实验研究需求，难以灵活、高效地实现NAND闪存辐射效应实时测试，导致影响准确评估NAND闪存抗辐射性能的技术问题。本发明一种NAND闪存的辐射效应实时测试系统中，指令执行模块通过指令缓存双端口RAM中缓存的执行指令序列、地址缓存双端口RAM中缓存的地址序列、数据缓存双端口RAM中缓存的数据序列以及指令执行模块、地址生成模块、控制时序生成模块和测试数据对比模块的存储器中缓存的设置指令，实现了NAND闪存测试时序、测试流程的灵活设置及NAND闪存抗辐射性能的准确评估。

主权项：1.一种NAND闪存的辐射效应实时测试方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、控制模块向主控模块发送控制帧；S2、主控模块将控制帧中的数据分别存储到指令缓存双端口RAM、地址缓存双端口RAM、数据缓存双端口RAM及无效块地址缓存双端口RAM中；S3、主控模块将控制帧中的设置指令存储到指令执行模块、地址生成模块、控制时序生成模块及测试数据对比模块的寄存器中，启动指令执行模块；S4、指令执行模块从指令缓存双端口RAM中读出执行指令，根据执行指令监测被测NAND闪存的RB管脚电平变化，并将RB管脚的低电平保持时间写入第一测试结果缓存FIFO中；指令执行模块在当前执行指令完成后，读出下一执行指令并执行；或者，指令执行模块根据执行指令启动控制时序生成模块、地址生成模块、IO数据输出模块以及测试数据对比模块，并分别向控制时序生成模块、地址生成模块、IO数据输出模块以及测试数据对比模块发送状态信号、预期地址、输出数据、预期数据及其地址；测试数据对比模块启动后，将测试数据写入第二测试结果缓存FIFO中；指令执行模块在当前执行指令完成后，读出下一执行指令并执行；或者，停止测试；S4具体为：S4.1若执行指令为数据读出指令4.1.1指令执行模块启动控制时序生成模块，产生NAND闪存的CLE输入端、ALE输入端、WE输入端及RE输入端的控制信号，以实现读数据时序；4.1.2指令执行模块从数据缓存双端口RAM读出预期数据，发送给测试数据比较模块，启动测试数据对比模块比较预期数据与测试数据；4.1.3产生下一执行指令的地址；如果，时序生成模块产生读数据时序的数量没有达到指令执行模块中循环数字段中存储的数值，下一执行指令地址为当前执行指令的循环跳转地址字段中存储的地址；否则，下一执行指令地址为当前执行指令的地址加1；S4.2若执行指令为数据写入指令4.2.1指令执行模块启动控制时序生成模块，产生NAND闪存的CLE输入端、ALE输入端、WE输入端及RE输入端的控制信号，以实现写数据时序；4.2.2指令执行模块从数据缓存双端口RAM中读出数据，发送给IO数据输出模块，并启动IO数据输出模块向被测NAND闪存输出数据；4.2.3产生下一执行指令的地址；S4.3如果执行指令为命令写入指令4.3.1指令执行模块启动控制时序生成模块，产生NAND闪存的CLE输入端、ALE输入端、WE输入端及RE输入端的控制信号，以实现写命令时序；4.3.2指令执行模块将执行指令中写入命令字段中存储的数据发送给IO数据输出模块，启动IO数据输出模块向被测NAND闪存输出命令数据；4.3.3产生下一执行指令的地址，下一执行指令的地址为当前执行指令的地址加1；S4.4若果执行指令为地址写入指令4.4.1指令执行模块根据执行指令中地址类型字段存储的数值、地址缓存双端口RAM读回的地址数据、执行指令中起始列地址字段存储的列地址数据以及地址生成模块发送的可执行行地址数据生成发送给NAND闪存的地址；4.4.2指令执行模块启动控制时序生成模块，产生NAND闪存的CLE输入端、ALE输入端、WE输入端及RE输入端的控制信号，以实现写地址时序；4.4.3指令执行模块将地址数据发送给IO数据输出模块，启动IO数据输出模块向被测NAND闪存输出命令数据；4.4.4产生下一执行指令的地址，下一执行指令的地址为当前执行指令的地址加1；S4.5若执行指令为RB下降沿捕获指令4.5.1指令执行模块开始计数，并检测被测NAND闪存的RB管脚是否为低电平；4.5.2如果被测NAND闪存的RB管脚在计时达到超时时间字段中存储的数值前变为低电平，则指令执行模块不对第一测试结果缓存FIFO执行操作；如果被测NAND闪存的RB管脚在计时达到超时时间字段中存储的数值前没有变为低电平，则指令执行模块将该结果写入第一测试结果缓存FIFO中；4.5.3产生下一执行指令的地址；S4.6若执行指令为RB上升沿捕获指令4.6.1指令执行模块开始计数，并检测被测NAND闪存的RB管脚是否为高电平；4.6.2如果被测NAND闪存的RB管脚在计时达到超时时间字段中存储的数值前变为高电平，指令执行完成，下一执行指令的地址为当前执行指令的地址加1；如果被测NAND闪存的RB管脚在计时达到超时时间字段中存储的数值前没有变为高电平，指令执行完成，不再检测RB管脚是否会变为高电平，下一执行指令的地址为当前执行指令超时跳转地址字段中存储的地址；4.6.3产生下一执行指令的地址当被测NAND闪存的RB管脚在计时达到超时时间字段中存储的数值时或以后变为高电平，指令执行模块将该结果写入第一测试结果缓存FIFO中；当被测NAND闪存的RB管脚在计时达到超时时间字段中存储的数值时或以后没有变为高电平，指令执行模块将该结果不写入第一测试结果缓存FIFO中；S4.7若执行指令为等待指令4.7.1指令执行模块开始计数，计数达到等待时间字段中存储的数值时停止计数，指令执行完成；4.7.2产生下一执行指令的地址，下一执行指令的地址为当前执行指令的地址加1；S4.8若执行指令为新地址使能产生指令4.8.1指令执行模块将预期地址发送给地址生成模块，启动地址生成模块，指令执行完成；4.8.2产生下一执行指令的地址，下一执行指令的地址为当前执行指令的地址加1；S4.9若执行指令为等待新地址产生指令：4.9.1指令执行模块判断地址生成模块生成可执行地址后，指令执行完成；4.9.2产生下一执行指令的地址，下一执行指令的地址为当前执行指令的地址加1；S4.10若执行指令为测试停止指令指令执行模块停止读出指令，直到下一次启动时从0地址读出一条指令并执行；S4.11若执行指令为序列结束指令，若当前执行测试的行地址达到结束地址时，达到测试停止条件，指令执行模块停止读出指令，直到下一次启动时从0地址读出一条指令并执行；否则，从0地址读出指令并执行；S5、主控模块将第一测试结果缓存FIFO、第二测试结果缓存FIFO中的数据打包成数据帧；主控模块将指令执行模块的状态打包成状态帧；主控模块将打包的数据帧与状态帧上传给控制模块；S6、控制模块将接收到S5中的数据帧存储；S7、控制模块接收到S5中的状态帧，判断指令执行模块的状态是否为停止测试状态；若是，停止测试并返回S1；否则，继续接收状态帧，直到接收到的状态帧表明指令执行模块的状态是停止测试状态时，停止测试并返回S1。

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