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申请/专利权人：电子科技大学(深圳)高等研究院

摘要：该发明公开了一种摆率增强的LDO电路结构，属于电路结构领域。本发明使用摆率增强电路的快速响应的非容性LDO，解决现有技术中存在的较大面积开销，高瞬态响应特性的问题。与现有技术相比，本发明提出的摆率增强电路结构实现简单，静态功耗低，不需要使用大的负载电容，能够节省芯片面积，便于片上集成。

主权项：1.一种摆率增强的LDO电路结构，该LDO电路包括：基准电路、误差放大器、反馈网络、功率管Mpower、电阻ESR、电阻RL，电容COUT，摆率增强电路；所述基准电路包括：基准电流电路、基准电压产生电路；所述摆率增强电路包括：下冲电压放大电路、过冲电压放大电路；基准电流电路、基准电压产生电路、误差放大器、功率管的源极连接输入电压，基准电流电路、基准电压产生电路的输出端分别输出IREF和VREF连接误差放大器，误差放大器的VFB端连接反馈网络，误差放大器、下冲电压放大电路、过冲电压放大电路的输出端连接功率管的栅极，反馈网络的输出端连接功率管的漏极、电阻ESR的一端、电阻RL的一端、下冲电压放大电路的输入、过冲电压放大电路的输入并作为该稳压器的输出，电阻ESR的另一端连接电容COUT的一端；反馈网络的输入端、电容COUT的另一端、电阻RL的另一端接地。进一步的，所述摆率增强电路包括：六个PMOS管：第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管Mpower；四个NMOS管：第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4；第一电阻R1、第二电阻R2；第一电容C1；其中：第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第六PMOS管Mpower的源极与VDD相接；第一PMOS管MP1的漏极与第六PMOS管Mpower的栅极、第五PMOS管MP5的漏极通过电路VG相接；第一PMOS管MP1的栅极、第二PMOS管MP2的栅极和漏极、第一NMOS管MN1漏极相接；第六PMOS管Mpower与第一电阻R1的一端、第一电容C1的一端、第四PMOS管MP4的源极、第五PMOS管MP5源极相接于VOUT；第一电阻R1的另一端与第二电阻R2的一端相接；第二电阻R2的另一端、第二NMOS管MN2的源极、第三NMOS管MN3的源极、第四NMOS管MN4的源极与GND相接；第一NMOS管MN1的栅极、第三PMOS管MP3的漏极、第三NMOS管MN3的漏极相接；第一NMOS管MN1的源极、第一电容C1的另一端、第二NMOS管MN2的漏极相接；第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4的栅极与偏置电压VB1相接；第三PMOS管MP3的栅极与偏置电压VB2相接；第四PMOS管MP4的栅极和漏极、第五PMOS管MP5的栅极相接。

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