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申请/专利权人：北京燕东微电子科技有限公司
摘要：本公开涉及深沟槽电容器的技术领域，具体提供一种深沟槽电容器的制备方法，以解决现有高密度深沟槽电容器工艺寄生参数不佳的问题。为此目的，本公开提供的深沟槽电容器的制备方法包括：在衬底上形成第一类浅沟槽和第二类浅沟槽，第二类浅沟槽围绕第一类浅沟槽，以形成第一类台面和第二类台面；在第二类台面上形成深沟槽；在露出的衬底上形成层堆叠结构，层堆叠结构包括交替设置的电极层和介质层，电极层的材料至少包括金属铜、铝、银中的任意一种，单层电极层在台面上的厚度大于在深沟槽的侧壁和底部处的厚度，以此在撑大工艺窗口的同时改善深沟槽电容器的寄生参数；进行平坦化至层堆叠结构中各个电极层被露出，其中露出的各个电极层表面齐平。
主权项：1.一种深沟槽电容器的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上由隔离区界定的街区内自第一表面形成浅沟槽，所述浅沟槽包括第一类浅沟槽和第二类浅沟槽，所述第一类浅沟槽沿第一方向延伸，且至少一部分的所述第一类浅沟槽的深度不同，所述第二类浅沟槽的深度大于所述第一类浅沟槽的深度且所述第二类浅沟槽占据所述衬底除所述隔离区和所述第一类浅沟槽以外的所有区域，使得所述浅沟槽的底部形成台面，其中，所述第一类浅沟槽的底部形成第一类台面，所述第二类浅沟槽的底部形成第二类台面；在所述第二类台面上形成沿所述第一方向和第二方向阵列排布的深沟槽，其中，沿所述第二方向，至少部分的所述深沟槽位于所述第一类台面的两侧；在露出的所述衬底上形成覆盖所述衬底的顶面、所述深沟槽和所述台面的层堆叠结构，所述层堆叠结构包括交替设置的电极层和介质层，所述电极层的材料至少包括金属铜、铝、银中的任意一种；其中，形成所述电极层包括：形成种子层；采用电化学镀膜的方式在所述种子层上生长金属以形成所述电极层，并且金属在所述台面上的生长速率大于在所述深沟槽的开口、侧壁和底部处的生长速率，以使得单层所述电极层在所述台面上的厚度大于在所述深沟槽的侧壁和底部处的厚度；对所述层堆叠结构进行平坦化，直至所述层堆叠结构中各个所述电极层被露出于不同高度的所述台面上，且露出的各个所述电极层表面齐平。
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百度查询： 北京燕东微电子科技有限公司 深沟槽电容器及其制备方法
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