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申请/专利权人:广东先导微电子科技有限公司
摘要:本发明提供一种三乙基镓的纯化方法,包括:(1)将物质A加入含杂质Si的三乙基镓中,并进行反应,得到络合物;所述物质A为三正辛胺、三乙胺和三甲胺中的一种或两种以上;(2)将络合物与溶剂B混合搅拌,静置分层,收集下层液体,得到纯化的络合物;所述溶剂B为正己烷、正戊烷和环己烷中的一种或两种以上;(3)所述纯化的络合物经常压蒸馏除去溶剂B,再进行减压蒸馏,得到纯化的三乙基镓。该纯化方法所需原料价廉易得,通过简便的路线可将三乙基镓中的Si杂质去除干净,得到高纯的三乙基镓。
主权项:1.一种三乙基镓的纯化方法,其特征在于,包括:(1)将物质A加入含杂质Si的三乙基镓中,进行反应,得到待净化的络合物;所述物质A为三正辛胺、三乙胺和三甲胺中的一种或两种以上;(2)将所述待净化的络合物与溶剂B混合搅拌,静置分层,收集下层液体,得到纯化的络合物;所述溶剂B为正己烷、正戊烷和环己烷中的一种或两种以上;(3)所述纯化的络合物经常压蒸馏除去溶剂B,再进行减压蒸馏,得到纯化的三乙基镓。
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