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申请/专利权人：捷捷微电(南通)科技有限公司
摘要：本申请提供了一种金属层光刻返工方法，涉及半导体制造技术领域。该金属层光刻返工方法包括以下步骤：提供一待光刻返工的晶圆片；其中，晶圆片包括金属层，金属层表面具有第一光刻胶，金属层包括铝元素。采用干法去胶工艺去除第一光刻胶；采用清洗剂冲洗所述金属层；其中，清洗剂呈非碱性。对金属层进行干法刻蚀，以在金属层的表面形成沟槽。通过采用非碱性的清洗剂对干法去胶后的金属层进行冲洗，确保金属层中的铝不会被清洗剂损伤。再次进行光刻刻蚀时，只采用干法刻蚀，不采用湿法刻蚀，确保了金属层表面不会被钝化。本申请提供的金属层光刻返工方法确保了光刻返工后无金属残留，大大提高了返工品质。
主权项：1.一种金属层光刻返工方法，其特征在于，所述金属层光刻返工方法包括以下步骤：提供一待光刻返工的晶圆片；其中，所述晶圆片包括金属层，所述金属层表面具有第一光刻胶，所述金属层包括铝元素；采用干法去胶工艺去除所述第一光刻胶；采用清洗剂冲洗所述金属层；其中，所述清洗剂呈非碱性；对所述金属层进行干法刻蚀，以在所述金属层的表面形成沟槽。
全文数据：
权利要求：
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