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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

摘要：本发明公开了一种背面接地连接开孔的制造方法包括如下步骤：步骤一、提供半导体衬底，包括超薄堆积区域、金属屏蔽区域和像素阵列区域。步骤二、进行第一次光刻在半导体衬底的背面同时打开第一至第三开孔的形成区域。步骤三、进行停止在像素阵列区域的深沟槽隔离结构中的第一金属层的背面的第一次刻蚀以形成第三开孔。步骤四、涂布BARC层，进行第二次光刻在半导体衬底的背面打开第一开孔的形成区域。步骤五、进行停止在超薄堆积区域的深通孔的金属表面第一阻挡层的背面的第二次刻蚀。步骤六、去除第二光刻胶图形和所述BARC层。步骤七、进行第三次刻蚀同时打通第一开孔以及和第二开孔。本发明能优化工艺流程，节省光罩投入成本，同时缩短生产周期。

主权项：1.一种背面接地连接开孔的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供半导体衬底，所述半导体衬底包括超薄堆积区域、金属屏蔽区域和像素阵列区域；所述超薄堆积区域中形成有深通孔，在所述深通孔的背面形成第一阻挡层，用于阻挡所述深通孔的金属扩散，在所述第一阻挡层的背面形成有第一介质层；在所述金属屏蔽区域中，所述半导体衬底的背面依次形成有HK材料层、第二介质层和第三介质层；在所述像素阵列区域中形成有多个深沟槽隔离结构，所述深沟槽隔离结构包括深沟槽、形成于所述深沟槽内侧表面的所述HK材料层以及填充所述深沟槽的第一金属层；所述深沟槽从所述半导体衬底的背面向所述半导体衬底内部延伸，所述深沟槽内的所述HK材料层和所述深沟槽外的所述HK材料层成一整体结构；所述第一金属层的背面和所述深沟槽外的所述第二介质层的背面相平；所述第三介质层覆盖在所述第一金属层的背面；所述第一介质层的背面高于所述第三介质层的背面；步骤二、进行第一次光刻形成第一光刻胶图形在所述半导体衬底的背面同时打开第一开孔、第二开孔和第三开孔的形成区域，所述第一开孔的形成区域位于所述深通孔的背面顶部，所述第二开孔的形成区域位于所述金属屏蔽区域的所述半导体衬底的背面顶部，所述第三开孔的形成区域位于各所述深沟槽隔离结构的背面顶部；步骤三、进行停止在所述第一金属层的背面的第一次刻蚀以形成第三开孔；步骤四、去除所述第一光刻胶图形以及涂布BARC层，进行第二次光刻形成第二光刻胶图形在所述半导体衬底的背面打开第一开孔的形成区域；步骤五、进行停止在所述第一阻挡层的背面的第二次刻蚀；步骤六、去除所述第二光刻胶图形和所述BARC层；步骤七、进行第三次刻蚀去除所述第一开孔的形成区域中剩余的所述第一阻挡层以形成第一开孔，所述第三次刻蚀还同时去除所述第二开孔的形成区域中剩余的所述第二介质层和所述HK材料层以形成第二开孔。

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