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申请/专利权人：南京邮电大学;镇江南京邮电大学研究院;江苏晶菲尔德半导体科技有限公司
摘要：本发明属于薄膜材料制备的领域，本发明公开了一种基于多点成核的快速、无污染制备外延硅片的方法，根据新发现的多点成核、单一取向结晶的原理，采用磁控溅射设备在各取向的硅衬底上生成致密、单一取向的单晶硅薄膜。本发明的优点在于：工艺简单、成本低、效率高、安全无污染、薄膜均匀致密。通过本发明制备的薄膜具有缺陷少、界面性能优、耐高温、耐腐蚀、平整度高的特点，可广泛用于集成电路、光伏、生物医疗，航天航空，传感电路等领域。
主权项：1.一种基于多点成核的快速、无污染制备外延硅片的方法，其特征在于：采用磁控溅射方法制备硅外延层，在衬底表面诱导硅原子多点成核、按单一取向结晶形成单晶薄膜；所述方法的具体步骤为：步骤1：单晶硅外延层的制备：选用纯度为99.999％的纯硅靶材，磁控溅射电源使用射频磁控溅射源，所用的衬底为单晶硅衬底，取向可为Si100110111晶片，制备Si薄膜样品时衬底温度为室温，设置的靶基距为68mm，溅射气体采用的是纯度为99.99％的Ar，流量在5-80sccm，溅射时的工作压强为0.2-10Pa，溅射功率从10～200W，溅射时间为0.2～60min；上述参数的约束关系为：0.32气体流速*溅射功率*工作压强靶基距86.3；步骤2：在溅射开始的过程中，转动衬底，减小硅原子碰撞，改善硅原子在衬底的分布，获取高质量的单晶薄膜。
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百度查询： 南京邮电大学 镇江南京邮电大学研究院 江苏晶菲尔德半导体科技有限公司 一种基于多点成核的快速、无污染制备外延硅片的方法
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