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申请/专利权人：山东大学
摘要：本发明公开了一种超疏水SERS阵列传感器的制备方法和应用，制备方法包括如下步骤：基底的清洗与表面处理；制备阵列孔洞结构的PDMS芯片；基底与PDMS芯片键合形成基底芯片；在SERS传感器基底芯片的阵列微孔洞内生长碳掺杂的Ag纳米复合材料形成超疏水SERS阵列传感器。本发明制得的超疏水SERS阵列传感器可以用于检测食品中的三聚氰胺检测，本发明的制备方法新颖，成本低、检测灵敏度高、稳定性好，可同时对多个样本、多种物质进行同时检测。
主权项：1.一种超疏水SERS阵列传感器的制备方法，其特征在于，超疏水SERS阵列传感器包括基底和键合于其上的PDMS芯片，所述PDMS芯片上开设贯穿芯片的阵列孔洞，所述基底上位于阵列孔洞的区域生长有碳掺杂的Ag纳米复合材料；制备方法包括如下步骤：（1）基底的清洗与表面处理：将基底在食人鱼溶液中煮沸后，用去离子水进行超声清洗；然后将清洗过的基底采用等离子清洗机进行表面处理；（2）制备阵列孔洞结构的PDMS芯片：将PDMS与固化剂均匀铺到阵列孔洞模板中，放入烘箱中，烘烤一段时间后取出，在室温下放置一段时间；从阵列孔洞模板上将两者的结合体揭下，然后制备成具有阵列孔洞结构的PDMS芯片；（3）基底芯片组装：将PDMS芯片用去离子水清洗之后，放置在处理好后的干净的基底上，让其通过重力的作用键合固定在一起，得到基底芯片；（4）生长碳掺杂的Ag纳米复合材料形成超疏水SERS阵列传感器：将CPC溶液和硝酸银溶液混合，室温下搅拌，然后加入氢氧化钠溶液，继续搅拌；将制得的溶液加入基底芯片的阵列孔洞内，在室温下静置6-18h，即得到超疏水SERS阵列传感器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 一种超疏水SERS阵列传感器及其制备方法和应用
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