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申请/专利权人：山东东仪光电仪器有限公司

摘要：本发明公开了一种对运放失调不敏感的二阶温度补偿带隙基准电路，包括基准产生电路、二阶温度补偿电路、运算放大器、启动电路、参考启动完成电路，所述二阶温度补偿电路与基准产生电路相连，基准产生电路通过运算放大器后分别与启动电路、参考启动完成电路相连，启动电路与参考启动完成电路相连。本发明通过修调电阻来修调晶体三极管的偏置电流，间接地修调基准电压的温漂系数，这样运算放大器的失调电压对于基准电压而言就只是一个直流的失调，不存在一阶或者高阶的温度系数关系，只需要一次修调就可以将基准电压修调至最佳的温漂系数。

主权项：1.一种对运放失调不敏感的二阶温度补偿带隙基准电路，其特征在于：包括基准产生电路、二阶温度补偿电路、运算放大器、启动电路、参考启动完成电路，所述二阶温度补偿电路与基准产生电路相连，基准产生电路通过运算放大器后分别与启动电路、参考启动完成电路相连，启动电路与参考启动完成电路相连；所述基准产生电路包括第一MOS管、第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻和第三可调电阻，所述第一MOS管的源极接电源，第一MOS管的漏极、第二电阻的一端、第三可调电阻的一端连接在一起并作为基准产生电路的输出端，第三可调电阻的另一端连接运算放大器的反相输入端、第一三极管的发射极相连，第一三极管的基极、第一三极管的集电极、第二三极管的基极、第二三极管的集电极连接在一起，第二三极管的发射极与第一电阻的一端相连，第一电阻的另一端与第二电阻的另一端、运算放大器的同相输入端相连；所述二阶温度补偿电路包括第四电阻、第五电阻和第三三极管，所述第四电阻的一端连接第一三极管的发射极，第四电阻的另一端与第五电阻的一端、第三三极管的发射极连接在一起并连接参考电流，第五电阻的另一端连接运算放大器的同相输入端，第三三极管的基极、第三三极管的集电极连接在一起并连接至第一三极管的基极；所述运算放大器包括第十五MOS管、第十六MOS管、第十七MOS管和第十八MOS管，第十五MOS管的源极与第十六MOS管的源极连接在一起并连接参考电流，第十五MOS管的栅极作为运算放大器的反相输入端，第十五MOS管的漏极与第十七MOS管的漏极、第十七MOS管的栅极、第十八MOS管的栅极连接在一起并作为运算放大器的V02输出端口，第十六MOS管的栅极作为运算放大器的同相输入端，第十六MOS管的漏极与第十八MOS管的漏极连接在一起并作为运算放大器的V01输出端口，第十七MOS管的源极与第十八MOS管的源极连接在一起；所述启动电路包括第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管，第二MOS管、第三MOS管的源极接电源，第二MOS管的栅极、第一MOS管的栅极、第三MOS管的栅极、第二MOS管的漏极、第四MOS管的漏极、第五MOS管的漏极连接在一起，第四MOS管的栅极连接运算放大器的V01输出端口，第四MOS管的源极连接第二三极管的集电极，第五MOS管的源极接地，第五MOS管的栅极与第七MOS管的漏极相连，第七MOS管的漏极经一个电阻后接电源，第七MOS管的源极接地，第七MOS管的栅极、第六MOS管的栅极、第六MOS管的漏极、第三MOS管的漏极连接在一起，第六MOS管的源极接地；所述参考启动完成电路包括第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第一反相器、第二反相器和电容，第八MOS管的栅极连接运算放大器的V02输出端口，第八MOS管的源极接地，第八MOS管的漏极、第十MOS管的漏极、第十MOS管的栅极、第十一MOS管的栅极连接在一起，第十MOS管的源极接电源，第十一MOS管的源极接电源，第十一MOS管的漏极与第九MOS管的漏极相连，第九MOS管的栅极连接运算放大器的V01输出端口，第九MOS管的源极接地，第一反相器的输入端与第九MOS管的漏极、第十二MOS管的漏极、第十三MOS管的栅极相连，第十二MOS管的栅极连接第五MOS管的栅极，第十二MOS管的源极接地，第十三MOS管的栅极经电容后接地，第一反相器的输出端与第十三MOS管的漏极、第二反相器的输入端相连，第十三MOS管的源极与第十四MOS管的漏极相连，第十四MOS管的源极接地，第十四MOS管的栅极与第二反相器的输出端连接在一起并作为参考启动完成电路的使能端。

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