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申请/专利权人：兰州交通大学
摘要：本发明公开了一种无掺杂电子空穴双层隧穿场效应晶体管及制备方法，包括：源电极，漏电极，隧穿栅电极，控制栅电极，栅介质层，铁电层，源区，漏区，阻挡介质层和沟道区。铁电层设置在沟道区的上下两侧，隧穿栅电极和控制栅电极分别设置在铁电层上，源区设置在沟道区的一侧，漏区和阻挡介质层分别设置在沟道区的另一侧；栅介质层分别与隧穿栅电极，控制栅电极，铁电层，源区，漏区和阻挡介质层连接，源电极设置在源区的侧边，并与源区和栅介质层连接，漏电极设置在漏区和阻挡介质层的侧边，并与漏区、阻挡介质层和栅介质层连接。本发明可以感应出源漏区和沟道中的电子空穴双层，可以解决重掺杂引起的带尾态、热预算高、随机掺杂波动等问题。
主权项：1.一种无掺杂电子空穴双层隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述无掺杂电子空穴双层隧穿场效应晶体管包括：源电极，漏电极，隧穿栅电极，控制栅电极，栅介质层，铁电层，源区，漏区，阻挡介质层和沟道区；所述铁电层设置在所述沟道区垂直方向的上下两侧且对称设置，上侧和下侧的所述铁电层均设有所述隧穿栅电极和所述控制栅电极，所述源区设置在所述沟道区水平方向的一侧，所述漏区和所述阻挡介质层设置在所述沟道区水平方向的另一侧，且所述漏区和所述阻挡介质层上下叠层设置；所述栅介质层分别与所述隧穿栅电极，所述控制栅电极，所述铁电层，所述源区，所述漏区和所述阻挡介质层连接，所述源电极设置在所述源区的侧边，并与所述源区和所述栅介质层连接，所述漏电极设置在所述漏区和所述阻挡介质层的侧边，并与所述漏区、所述阻挡介质层和所述栅介质层连接，且所述源电极和所述漏电极相互对称。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 兰州交通大学 一种无掺杂电子空穴双层隧穿场效应晶体管及制备方法
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