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申请/专利权人：山东华光光电子股份有限公司
摘要：本发明涉及一种降低慢轴发散角的宽条型半导体激光器芯片及制备方法，属于半导体激光器芯片领域，包括层叠结构、脊波导和电注入区，层叠结构自下到上包括衬底、应力缓冲层、N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型高折射率限制层、P型低折射率限制层和欧姆接触层；脊波导沿半导体激光器芯片的第一方向延伸；电注入区形成于脊波导上；脊波导的两侧设置两波导槽，波导槽通过完全去除欧姆接触层、P型低折射率限制层以及一部分P型高折射率限制层制备得到，所述波导槽靠近外侧壁的底部和外侧壁上设置有高折射率、高消光系数的薄膜层。本发明可以克服现有技术存在的光束质量差的问题，同时解决了半导体器件在大电流注入时的可靠性问题。
主权项：1.一种降低慢轴发散角的宽条型半导体激光器芯片，其特征在于，包括层叠结构、脊波导和电注入区，所述层叠结构自下到上至少包括衬底、应力缓冲层、N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型高折射率限制层、P型低折射率限制层和欧姆接触层；脊波导沿半导体激光器芯片的第一方向延伸，第一方向为半导体激光器芯片腔长的延伸方向，即出光方向；电注入区形成于脊波导上；所述脊波导的两侧设置两波导槽，波导槽通过完全去除欧姆接触层、P型低折射率限制层以及一部分P型高折射率限制层制备得到，所述波导槽靠近外侧壁的底部和外侧壁上设置有高折射率、高消光系数的薄膜层；所述薄膜层还设置于半导体激光器芯片两端的非电注入区；薄膜层与脊波导的距离保持不变，为3~10μm；所述脊波导为沿出光方向宽度不变结构；所述波导槽宽度为渐变型，沿出光方向波导槽宽度逐渐增加；所述P型高折射率限制层和P型低折射率限制层的折射率的差值为0.02以上；所述薄膜层的折射率大于2，材料为Si3N4、Si或Ge。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东华光光电子股份有限公司 降低慢轴发散角的宽条型半导体激光器芯片及制备方法
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