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申请/专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
摘要：公开了一种去除石英坩埚边缘的溅料的方法、装置及直拉单晶炉，该方法包括：控制旋转杆的第一端从第一位置旋转至第二位置，旋转杆的第二端固定设置并位于石英坩埚的外部，第一位置位于石英坩埚的外部，第二位置位于石英坩埚的内部，旋转杆高于石英坩埚的边缘；控制石英坩埚旋转，以使旋转杆将石英坩埚边缘的溅料刮至石英坩埚中；在溅料完全被刮至石英坩埚中后，控制旋转杆的第一端从第二位置旋转至第一位置。本发明方案中通过控制旋转杆的第一端从第一位置旋转至第二位置，并控制石英坩埚旋转，以使旋转杆将石英坩埚边缘的溅料刮至石英坩埚中，能够去除石英坩埚边缘的溅料，防止溅料在单晶硅生长过程中脱落至石英坩埚中导致单晶硅棒断线或结晶。
主权项：1.一种去除石英坩埚边缘的溅料的方法，其特征在于，包括：控制旋转杆的第一端从第一位置旋转至第二位置，所述旋转杆的第二端固定设置并位于石英坩埚的外部，所述第一位置位于所述石英坩埚的外部，所述第二位置位于所述石英坩埚的内部，且所述旋转杆高于所述石英坩埚的边缘；控制所述石英坩埚旋转，以使所述旋转杆将所述石英坩埚边缘的溅料刮至所述石英坩埚中；在确定所述石英坩埚边缘的溅料完全被刮至所述石英坩埚中后，控制所述旋转杆的第一端从所述第二位置旋转至所述第一位置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海新昇半导体科技有限公司 一种去除石英坩埚边缘的溅料的方法、装置及直拉单晶炉
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