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申请/专利权人：西安理工大学
摘要：本发明公开了SEM原位拉伸μ‑DIC散斑的制备方法,采用简单的旋转按压法制备得到高分散性、纳米尺度、衬度明显和不脱落的散斑，该制备方法简单、易操作、高效、低成本等优势，可以实现在室温、高温及高分辨率大视野下的应用，解决了在高倍数下SEM只能观察局部信息的瓶颈问题。同时，该方法可以实现在微观、介观和宏观尺度的微区应变表征，而且可以适用于多种材料，例如：铜、铁、钛、铝等金属合金及其复合材料。本发明的这种制备方法不会对材料的力学性能产生影响，也不会对材料有损伤，可实现高精度局部应变分析。
主权项：1.SEM原位拉伸μ-DIC散斑的制备方法，其特征在于，具体制备步骤如下：步骤一、制备SiO2混合液体；步骤二、根据原位拉伸图纸制备原位样品；步骤三、将原位样品打磨至粒径为2000目，最后抛光至镜面；步骤四、在抛光布上滴加SiO2混合液体，接着将抛光后的样品置于抛光布上旋转按压20s～60s，形成初始散斑；步骤五、在初始散斑上重复步骤四2-3次后，依次用去离子水、酒精清洗原位样品即得到成品散斑；步骤六、在不低于200X的SEM高倍扫描电镜下拍照观察，若成品散斑的SiO2颗粒分布均匀，且SiO2颗粒密度在15％～40％之间，进行室高温原位拉伸表征分析材料微区局部的应变；若SiO2颗粒密度低于15％，在成品散斑上重复步骤4直至SiO2颗粒密度在15％～40％之间；若SiO2颗粒密度40％，则用酒精冲洗时用手指搓洗，直至SiO2颗粒密度在15％～40％之间，进行室高温原位拉伸表征分析材料微区局部的应变实验。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安理工大学 SEM原位拉伸μ-DIC散斑的制备方法及其表征方法
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