龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
摘要：本申请属于半导体技术领域，公开了一种GaNHEMT器件的自对准栅结构制备方法。所述GaNHEMT器件的自对准栅结构制备方法包括：提供GaNHEMT衬底，在所述GaNHEMT衬底上依次生长第一介质层、第二介质层和第三介质层；在所述第三介质层上预留刻蚀区域，并在所述刻蚀区域之外的第三介质层上生长光刻胶层；依次刻蚀所述第三介质层、所述第二介质层和所述第一介质层形成栅槽；蒸发栅金属以将所述栅金属沉积到所述栅槽，得到自对准的栅结构。本申请的GaNHEMT器件的自对准栅结构制备方法，制备过程只需要进行一次光刻工艺，因此制备过程不会存在套刻误差，即套刻误差为零，解决了套刻误差影响GaN器件性能的问题。
主权项：1.一种GaNHEMT器件的自对准栅结构制备方法，其特征在于，包括：提供GaNHEMT衬底，在所述GaNHEMT衬底上依次生长第一介质层、第二介质层和第三介质层；在所述第三介质层上预留刻蚀区域，并在所述刻蚀区域之外的第三介质层上生长光刻胶层；依次刻蚀所述第三介质层、所述第二介质层和所述第一介质层形成栅槽；蒸发栅金属以将所述栅金属沉积到所述栅槽，得到自对准的栅结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市汇芯通信技术有限公司 一种GaN HEMT器件的自对准栅结构制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号