龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：甬矽半导体(宁波)有限公司
摘要：本发明提供了一种高密度重新分布互连封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域，该高密度重新分布互连封装结构包括第一芯片、转接围墙、第一塑封体、基底布线组合层、第二芯片、第二塑封体和焊球，转接围墙围设在第一芯片周围，且转接围墙中设置有第一导电柱；第一塑封体包覆在第一芯片和转接围墙周围；基底布线组合层设置在第一塑封体的一侧表面；转接围墙的介电常数小于第一塑封体的介电常数。相较于现有技术，本发明通过额外设计转接围墙，并在转接围墙中形成第一导电柱，避免了在塑封材料上开槽，转接围墙介电常数更低，绝缘性能更好，可以减少传输损耗，提升第一导电柱的传输性能。
主权项：1.一种高密度重新分布互连封装结构，其特征在于，包括：第一芯片；转接围墙，所述转接围墙围设在所述第一芯片周围，且所述转接围墙中设置有第一导电柱，所述第一导电柱的两端外露于所述转接围墙的两侧端面；第一塑封体，所述第一塑封体包覆在所述第一芯片和所述转接围墙周围，所述转接围墙的两侧端面外露于所述第一塑封体；基底布线组合层，所述基底布线组合层设置在所述第一塑封体的一侧表面，并与所述第一导电柱连接；第二芯片，所述第二芯片设置在所述第一塑封体远离所述基底布线组合层的一侧，并与所述第一导电柱电连接；第二塑封体，所述第二塑封体包覆在所述第二芯片外；焊球，所述焊球设置在所述基底布线组合层远离所述第一芯片的一侧；其中，所述转接围墙的介电常数小于所述第一塑封体的介电常数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 甬矽半导体(宁波)有限公司 高密度重新分布互连封装结构及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号