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申请/专利权人：中电海康集团有限公司
摘要：本发明提供了一种MRAM单元和MRAM阵列，该MRAM单元包括：磁性隧道结、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管。其中，磁性隧道结的一端与位线连接。第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的漏极均与磁性隧道结的另一端连接，第二NMOS晶体管的栅极与第一字线连接，第一NMOS晶体管的栅极与第二NMOS晶体管的源极连接，第一NMOS晶体管的源极与源线连接。在第一字线、位线和源线处于第一操作状态时，能够打开第二NMOS晶体管的栅极，并通过第一NMOS晶体管在进入第一操作状态后设定时间段内的电流变化率差异，判断磁性隧道结处于平行态还是反平行态。显著提高MRAM单元的隧道磁阻率和开关比。
主权项：1.一种MRAM单元，其特征在于，包括：磁性隧道结，其中，所述磁性隧道结的一端与位线连接；第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管；其中，所述第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的漏极均与所述磁性隧道结的另一端连接，所述第二NMOS晶体管的栅极与第一字线连接，所述第一NMOS晶体管的栅极与所述第二NMOS晶体管的源极连接，所述第一NMOS晶体管的源极与源线连接；在所述第一字线、位线和源线处于第一操作状态时，能够打开所述第二NMOS晶体管的栅极，并通过所述第一NMOS晶体管在进入所述第一操作状态后设定时间段内的电流变化率差异，判断所述磁性隧道结处于平行态还是反平行态。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中电海康集团有限公司 一种MRAM单元和MRAM阵列
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