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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明公开了一种硅外延层厚度量测方法，包括：步骤一、在由第一硅衬底组成的第一晶圆表面外延生长材料能和硅进行光学区分的第一半导体材料层。步骤二、在第一半导体材料层的表面外延生长第一硅外延层。步骤三、进行硅的厚度测量得到第一硅外延层的第一厚度。步骤四、在第一硅外延层表面进行外延生长形成第二硅外延层。步骤五、进行硅的厚度测量得到第一硅外延层和第二硅外延层的叠加厚度，将叠加厚度减去第一厚度得到第二硅外延层的第二厚度。本发明能克服硅衬底和硅外延层不能光学区分的缺陷从而实现对硅外延层的准确测量，同时还不会对Si外延设备带来污染。
主权项：1.一种硅外延层厚度量测方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供由第一硅衬底组成的第一晶圆，在所述第一晶圆的表面外延生长第一半导体材料层，所述第一半导体材料层的材料能和硅进行光学区分；步骤二、在所述第一半导体材料层的表面外延生长第一硅外延层；步骤三、以所述第一半导体材料层为标记层进行硅的厚度测量得到所述第一硅外延层的第一厚度；步骤四、在Si外延设备中进行外延生长在所述第一硅外延层表面形成第二硅外延层；步骤五、以所述第一半导体材料层为标记层进行硅的厚度测量得到所述第一硅外延层和所述第二硅外延层的叠加厚度，将所述叠加厚度减去所述第一厚度得到所述第二硅外延层的第二厚度。
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权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 硅外延层厚度量测方法
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