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申请/专利权人：安徽大学
摘要：本发明属于静态随机存储器领域，具体涉及一种具有施密特结构的混合型14T‑SRAM单元及其对应的SRAM电路和存储芯片。14T‑SRAM单元由4个P型TFET晶体管，8个N型TFET晶体管，以及2个NMOS管构成。其中，本发明通过8个TFET晶体管构成施密特反相器，两个反相器构成存储单元中的锁存结构。由于锁存结构采用施密特反相器设计，可以提高单元的保持和读噪声容限。方案中采用了打断锁存结构的方式，提高了单元的写速度和写噪声容限；采用漏极电压始终不低于源极电压的NTFET作为传输控制管，消除TFET的正向偏置电流，降低电路的静态功耗。此外，本发明还对部分晶体管在单元内和阵列中进行复用，以提升电路集成度。
主权项：1.一种具有施密特结构的混合型14T-SRAM单元，其特征在于，其由4个PTFET晶体管P1、P2、P3、P4，8个NTFET晶体管N1、N4、N5、N6、N7、N8、N9、N10，以及两个NMOS管N2、N3构成；电路连接关系如下：P1、P2的源极与N4的漏极接VDD；P1的漏极和P3的源极相连；P2的漏极和P4的源极相连；P1的栅极和N2的栅极接写位线BL；P2栅极和N3的栅极接写位线BLB；P3、N2、N5的漏极与P4、N4、N6、N8的栅极相连并作为存储节点Q；P3、N5、N7、N9的栅极与P4、N3、N6的漏极相连并作为存储节点QB；N4、N5的源极与N7的漏极相连；N6、N9的源极与N8、N10的漏极相连；N1的漏极与N2、N3的源极相连；N1、N7、N8、N10的源极接GND；N1的栅极接写字线WL；N10的栅极接读字线RWL；N9的漏极接读位线RBL。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽大学 具有施密特结构的混合型14T-SRAM单元、SRAM电路、芯片
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