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申请/专利权人：芯测科技股份有限公司
摘要：本发明提供一种内存修复电路、内存模块及内存修复方法，所述内存修复电路包括非挥发性储存单元、挥发性储存单元、控制器、自我测试电路以及修复信息产生电路，其中，所述控制器还根据所述第二修复信息设定所述主内存与所述备用内存或所述内嵌的冗余内存。本发明同时具有硬修复技术与软修复技术两者的优点的至少一部分，且可以提供累加式修复功能。在使用期限较长的电子产品的应用中，所述内存修复电路与方法与使用其的内存模块可以针对新出现的错误的内存单元进行修复，以确保电子产品可以正常运作。
主权项：1.一种内存修复电路，电性连接主内存与备用内存，或是电性连接具有内嵌的冗余内存的主内存，其特征在于，所述内存修复电路包括：非挥发性储存单元，用于储存第一修复信息；所述第一修复信息记录所述主内存的错误的至少一内存单元的地址与所述备用内存或所述内嵌的冗余内存的至少一内存单元的地址之间的先前映像关系；挥发性储存单元，电性连接所述非挥发性储存单元，用于作为所述非挥发性储存单元和修复信息产生电路之间的数据传递桥梁，并且暂存所述第一修复信息；控制器，电性连接所述挥发性储存单元、所述非挥发性储存单元与所述修复信息产生电路，用于控制所述第一修复信息与第二修复信息的传递读取和写入；自我测试电路，电性连接主内存与所述修复信息产生电路，用于在所述控制器根据所述第一修复信息设定所述主内存与所述备用内存，或设定所务主内存与所述内嵌的冗余内存后，根据使用者选择或使用情境对所述主内存进行内建自我测试；以及，所述修复信息产生电路，电性连接具有内嵌的冗余内存的所述主内存，或者，同时电性连接所述主内存与所述备用内存；其中，若所述主内存有新的错误的内存单元，所述修复信息产生电路根据所述内建自我测试的测试结果产生所述第二修复信息；所述第二修复信息记录所述主内存的错误的至少一内存单元的地址与所述备用内存或所述内嵌的冗余内存的至少一内存单元的地址之间的当前映像关系；其中，所述控制器还根据所述第二修复信息设定所述主内存与所述备用内存或所述内嵌的冗余内存，并根据使用者选择或使用情境控制所述非挥发性储存单元将所述第一修复信息更新为所述第二修复信息。
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权利要求：
百度查询： 芯测科技股份有限公司 内存修复电路、内存模块及内存修复方法
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