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申请/专利权人：美光科技公司
摘要：一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。所述设备中的一者包含垂直布置于衬底上方的多个层级的2晶体管2T存储器单元。每一2T存储器单元包含具有栅极的电荷存储晶体管、具有栅极的写入晶体管、垂直延伸存取线及单个位线对。所述写入晶体管的源极或漏极区直接耦合到所述电荷存储晶体管的电荷存储结构。所述垂直延伸存取线耦合到所述多个垂直布置层级的多个相应层级中的2T存储器单元的所述电荷存储晶体管及所述写入晶体管两者的栅极。所述垂直延伸存取线及所述单个位线对用于与其耦合的所述2T存储器单元中的每一者的写入操作及读取操作两者。
主权项：1.一种设备，其包括：多个层级的2晶体管2T存储器单元，其垂直布置于衬底上方，其中每一2T存储器单元包含：电荷存储晶体管及写入晶体管，其中所述写入晶体管的源极或漏极区直接耦合到所述电荷存储晶体管的电荷存储结构；垂直延伸存取线，其经布置以门控所述多个垂直布置层级的多个相应层级中的2T存储器单元的所述电荷存储晶体管及所述写入晶体管两者，其中所述垂直延伸存取线可操作用于执行与其耦合的所述2T存储器单元中的每一者的写入操作及读取操作两者；及单个位线对，其耦合到相应层级中的多个2T存储器单元，且可操作用于执行与其耦合的所述2T存储器单元中的每一者的写入操作及读取操作两者。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 具有共享读取/写入位线的垂直3D单字线增益单元
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